我国刻蚀机取得突破进展 芯片制造成本大大降低
来源:
|
作者:佚名
|
发布时间 :2025-05-14
|
28 次浏览:
|
🔊 点击朗读正文
❚❚
▶
|
分享到:
近日中微半导体董事长尹志尧称我国刻蚀机有两个本质性突破，一是首创将高频和低频都放在下电极的第三代等离子源，二是发明双台机，可共用真空泵和气体分布系统，使设备占地面积减少35%、输出量提高超50%、单芯片加工成本降低超30%。双台机可单台操作，双台控制精度达0.1纳米。虽进入市场晚30年，但已能覆盖几乎所有刻蚀应用，国内市场占有率从20% - 30%提升至50% - 70%
近日，中微半导体设备(上海)股份有限公司董事长尹志尧指出，在我国刻蚀机上产生两个本质性的突破，一个就是在设计反应器上首创了把高频和低频都放在下电极的第三代的等离子源，另外一个发明创造是聚焦发展的双台机，可以共用真空泵、共用气体分布系统，这样设备占地面积减少了35%，输出量提高50%以上，每加工一个芯片的成本减少了30%以上。那么这个双台机不但可以单台操作，二个台控制可以做到0.1个纳米的精确度，所以虽然我们进入这个市场晚了30年，但是现在我们已经可以覆盖几乎所有的刻蚀应用，在国内的市场占有率也从20%～30%这样的水平提高到50%～70%。
（来自：科技重磅）
